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QFN4x4-16L封装的芯片,壳温和结温相差多少℃?

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发表于 2024-9-3 13:37:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
一款QFN4x4-16L封装的芯片,是MOSFET,芯片外表面温度能测得(壳温),请问:结温怎么推算?
" Z# V2 a  j- W, T结温和壳温的差距一般多少度?3 u5 c5 I5 m: O) i) A4 u
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发表于 2024-9-3 13:48:22 | 显示全部楼层
结温(Junction Temperature,简称Tj)是指半导体器件内部半导体材料的热结点温度,也就是器件中最热点的温度。在电子设备中,结温是衡量器件工作温度的重要参数,因为它直接关系到器件的可靠性和寿命。结温过高可能会导致器件性能下降,甚至损坏。9 D# K0 G4 l% v9 o
# f2 t" \. Q6 g) F- `9 E
壳温(Case Temperature,简称Tc)是指半导体器件外壳的温度,也就是器件外部可以触摸到的部分的温度。壳温通常比结温要低,因为它受到器件散热条件的影响。
! w4 {' g" R4 d3 r* j
. R& F" E, K9 C  V在实际应用中,结温和壳温之间的差异(ΔTjc = Tj - Tc)是评估器件散热性能的重要指标。这个差异的大小取决于器件的热阻(Thermal Resistance),热阻越小,结温和壳温之间的差异就越小,器件的散热性能就越好。
+ L) S, ~8 n& i' C
- N, e) E6 U& C8 \对于QFN4x4-16L封装的MOSFET芯片,结温和壳温之间的具体差异需要根据具体的器件型号、使用条件以及散热设计来确定。通常,这个差异可以通过热仿真软件计算得出,或者通过实验测量得到。如果没有具体的数据,可以查阅器件的数据手册,里面通常会给出一个大致的热阻值,从而估算出结温和壳温之间的差异。
, ]; Z9 r+ a4 Z* I3 d, g- u0 }
6 `9 }9 X9 ?# ^' m' C( O$ v: ?来自AI(kimi)

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kimi这回答的什么玩意,连边都不沾  发表于 2024-9-3 16:10
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 楼主| 发表于 2024-9-3 14:00:35 | 显示全部楼层
谢谢二楼,我问了度娘,也是类似的回答。8 V: m% X3 |7 N- C. x
我其实想知道,有没有哪位大佬有这方面的实测数据,QFN封装的小芯片,壳温、结温的差距有多少度

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这只能说明文心和kimi一样,都没用的玩意。  发表于 2024-9-3 16:10
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发表于 2024-9-3 14:54:20 | 显示全部楼层
看厂家数据手册,测量壳温,用红外测温枪,封装涂黑。计算结温

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明明白白是测封装温度,然后计算结温  发表于 2024-9-3 17:39
红外枪能测结温,你知道结温在哪吗  发表于 2024-9-3 16:11
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发表于 2024-9-3 16:13:05 | 显示全部楼层

( z, v9 m" \/ v5 E找一个有智商的AI
, v; g, _# a0 ?利用MOSFET内部的寄生二极管(如果存在的话)或者栅源间电压(Vgs)的变化来估计结温。随着温度上升,二极管的正向电压会下降,而Vgs也会有所变化,这些都可以作为温度变化的指标。不过这种方法同样需要专门的设计和测试设备。
3 n% B( P6 z4 }) q

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发表于 2024-9-3 23:45:07 | 显示全部楼层
QFN4x4-16L,,,这芯片型号是啥?
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 楼主| 发表于 2024-9-4 13:22:27 | 显示全部楼层
学渣渣 发表于 2024-9-3 23:45# V# U' L8 a2 Z9 C$ J
QFN4x4-16L,,,这芯片型号是啥?

+ P8 |$ L" o! G* K, r# c- L0 `, _芯片型号是 SLM6803$ P7 ]2 E9 w3 j8 V4 @7 |7 E% r* ^: q

8 X" @$ r7 `5 r8 X) x( j% a1 A
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