全球首家：三星宣布量产3纳米芯片

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三星电子有限公司周四宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。与前几代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。



三星公司在一份声明中说，与传统的 5 纳米芯片相比，新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。

目前台积电仍然是全球最先进的代工芯片制造商，控制着全球芯片代工市场约54％的份额，主要客户包括苹果和高通等。

三星电子以16.3％的市场份额排名第二，遥遥领先于其他对手，曾于去年宣布了一项171万亿韩元（约合1320亿美元）的投资计划，期望到2030年超越台积电，成为全球最大的逻辑芯片制造商。

虽然三星电子是全球首家量产3纳米芯片的公司，但根据台积电的计划，该公司将在2025年量产2纳米芯片。

sfcp

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