QFN4x4-16L封装的芯片，壳温和结温相差多少℃？

一羊迁徙_a

一款QFN4x4-16L封装的芯片，是MOSFET，芯片外表面温度能测得（壳温），请问：结温怎么推算？
结温和壳温的差距一般多少度？
) S1 C/ E% H' X1 A. u7 P- v1 T

hfbay

结温（Junction Temperature，简称Tj）是指半导体器件内部半导体材料的热结点温度，也就是器件中最热点的温度。在电子设备中，结温是衡量器件工作温度的重要参数，因为它直接关系到器件的可靠性和寿命。结温过高可能会导致器件性能下降，甚至损坏。

8 E5 @1 c4 o( P: t壳温（Case Temperature，简称Tc）是指半导体器件外壳的温度，也就是器件外部可以触摸到的部分的温度。壳温通常比结温要低，因为它受到器件散热条件的影响。

在实际应用中，结温和壳温之间的差异（ΔTjc = Tj - Tc）是评估器件散热性能的重要指标。这个差异的大小取决于器件的热阻（Thermal Resistance），热阻越小，结温和壳温之间的差异就越小，器件的散热性能就越好。

) U, _; B) ?* V% Y. C! R对于QFN4x4-16L封装的MOSFET芯片，结温和壳温之间的具体差异需要根据具体的器件型号、使用条件以及散热设计来确定。通常，这个差异可以通过热仿真软件计算得出，或者通过实验测量得到。如果没有具体的数据，可以查阅器件的数据手册，里面通常会给出一个大致的热阻值，从而估算出结温和壳温之间的差异。
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+ R4 d6 v1 k8 c8 Z; [( u来自AI（kimi）

一羊迁徙_a

谢谢二楼，我问了度娘，也是类似的回答。
( e$ d# n! @! m) F% f: O+ c我其实想知道，有没有哪位大佬有这方面的实测数据，QFN封装的小芯片，壳温、结温的差距有多少度

DianGongN

看厂家数据手册，测量壳温，用红外测温枪，封装涂黑。计算结温

学者11

找一个有智商的AI
利用MOSFET内部的寄生二极管（如果存在的话）或者栅源间电压(Vgs)的变化来估计结温。随着温度上升，二极管的正向电压会下降，而Vgs也会有所变化，这些都可以作为温度变化的指标。不过这种方法同样需要专门的设计和测试设备。
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学渣渣

QFN4x4-16L，，，这芯片型号是啥？

一羊迁徙_a

学渣渣 发表于 2024-9-3 23:45
4 b3 v2 t; p1 }0 kQFN4x4-16L，，，这芯片型号是啥？

芯片型号是 SLM6803
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