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如今的 7nm EUV 芯片，晶体管多达 100 亿个，它们是怎么样安上去的呢？
1 ]4 F% w# @3 T& n7 T& [+ p晶体管并非是安装上去的，芯片制造其实分为沙子 - 晶圆，晶圆 - 芯片这样的过程，而在芯片制造之前，IC 设计要负责设计好芯片，然后交给晶圆代工厂。
+ |/ Y! h/ I3 |( P' [' i芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界限，涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。
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如果我们将设计的门电路放大，白色的点就是衬底，还有一些绿色的边框就是掺杂层。
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1 N1 ~1 C6 w: O当芯片设计好了之后，就要制造出来，晶体管就是在晶圆上直接雕出来的，晶圆越大，芯片制程越小，就能切割出更多的芯片，效率就会更高。 ' O) n6 x7 O$ y7 u; G; L
举个例子，就好像切西瓜一样，西瓜更大的，但是原来是切成 3 厘米的小块，现在换成了 2 厘米，是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。
+ y7 U( A/ d/ U7 e9 l制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以成为栅长，它的距离越短，就可以放下更多的晶体管，这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小，源极和漏极之间流过的电流就会越快，工艺难度会更大。
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芯片制造共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。 : r3 a! t* J4 p# c9 u; ]( z) p
其中雕出晶圆的最重要的两个步骤就是光刻和蚀刻，光刻技术是一种精密的微细加工技术。 / a h' C( ~& y5 b) @
常规光刻技术是采用波长为 2000～4500 的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。 6 j% b5 Q2 q/ r$ n# x2 b, J& P) z7 ]
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' E8 i& r0 S1 R, L4 b# x" a( Z光刻技术就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。简单来说芯片设计人员设计的线路与功能区“印进”晶圆之中，类似照相机照相。 4 g: _/ D% a8 a, ?) _/ W6 ]- X
照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
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. u: H( a* x3 _- ]) ]1 l, R而蚀刻技术就是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。
. a7 N4 a' q5 D2 J" N集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约 10 次光刻才能完成各层图形的全部传递。 & f5 G/ J9 a% l, T) I4 w0 i& t# o
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。目前主流所用的还是干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体蚀刻机。
! C" S; i+ ?5 t/ i4 F0 P在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等，通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。
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在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 9 G- ?! o; d5 L+ g5 x# P! a, K7 Q
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溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。  7 D; Z8 R& T# O1 ]; n
$ n i9 L7 o: h) x4 G; }“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 
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清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 
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这里说一下，什么是光刻胶。我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上，然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模版上的电路图转移到光刻胶上，最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。 
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而光刻根据所采用正胶与负胶之分，划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中，正胶的曝光部分结构被破坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。
# b0 J0 u7 P0 y) P& x' h. |0 X相反地，在负性光刻中，负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解，掩模部分则会被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。  , h3 E" L( R# ^. }3 E$ m
n" \$ P4 z e1 z可以说，在晶圆制造中，直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间，由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。 " u. X8 p0 l. E/ m, @7 R
热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月，经过成百上千道工序，最终集成了海量的微小电子器件，经切割、封装，成为信息社会的基石——芯片。
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1 G3 I7 v$ i; H( A. {1 B这是一个 Top-down View 的 SEM 照片，可以非常清晰的看见 CPU 内部的层状结构，越往下线宽越窄，越靠近器件层。
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0 H$ X( Z8 n# J9 ]( |: j( m这是 CPU 的截面视图，可以清晰地看到层状的 CPU 结构，由上到下有大约 10 层，其中最下层为器件层，即是 MOSFET 晶体管。 " Q/ O- I: U3 w; Q
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8 }- ?9 _# h# {( \: g4 `7 A' U*来源：胖福的小木屋 原文地址 https://baijiahao.baidu.com/s?id=1661518867399354763&wfr=spider&for=pc | 
发表于 2022-4-18 15:00:56
