中科院光电所激光工程中心研制成功高消光比双电光开关
近日，基于自由电子激光器的应用需求，中科院光电研究所激光工程中心研发了一套高消光比双电光驱动开关系统。相关技术也已获得国家发明专利。该高消光比双电光驱动开关系统采用半波电压较低的RTP晶体作为电光开关，实现的技术指标如下：1)脉冲上升沿及下降沿小于10ns；
2)脉冲宽度：10μs-1ms可调，脉宽抖动＜10 ns；
3)重复频率1Hz-1kHz可调；
4)驱动高压从1200V~2000V可调，计算机显示和控制；
5)消光比大于2000:1。
高消光比电光驱动开关技术因具有开关速度快、开关彻底和口径大等特点，在调Q激光器、超快激光器的研究领域中得到广泛的应用。目前电光Q开关驱动源已经成功应用在立体平板印刷术、硬盘电阻微调、存储修复、通孔修复、通孔打钻、印刷电路板制作、晶片雕刻等方面。
此技术由麻云凤副研究员团队研发。
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